Разделы новостей Компьютерная техника Samsung начала производство флеш-памяти V-NAND 5 поколения
11.07.2018 09:52

Samsung начала производство флеш-памяти V-NAND 5 поколения

Samsung уже долгие годы является лидером в деле выпуска чипов памяти. Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства флеш-памяти V-NAND нового поколения, которая использует интерфейс Toggle DDR 4.0.

Samsung начала производство флеш-памяти V-NAND 5 поколения

Этот интерфейс позволит достичь на 40% более высоких скоростей передачи данных по сравнению с предыдущим поколением. Кроме того, новой памяти будет нужно меньшее напряжение тока — 1.2 В против 1.8 В.

Вместо 64 слоев память пятого поколения использует сразу 90 слоев 3D-ячеек CTF ("charge trap flash"). Они расположены в форме пирамиды с микроскопическими отверстиями в середине. Эти отверстия служакт как каналы и имеют размер всего в несколько сотен нанометров. Каждая из 85 млн CTF-ячеек может хранить до трех битов данных.

Скорость записи по сравнению с V-NAND памятью четвертого поколения повысится на 30%, а скорость ответа на сигналы чтения снизится до 50 микросекунд.

Скорее всего, новые высокопроизводительные чипы будут использовать как в SSD-накопителях Samsung, так и в ее флагманских смартфонах.